Número de Producto del Fabricante:
TQM110NB04CR RLG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TQM110NB04CR RLG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 12A (Ta), 54A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (5x6)
Inventario:
4738 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978179
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ENVIAR
TQM110NB04CR RLG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta), 54A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1352 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFNU (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
TQM110
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
1801-TQM110NB04CRRLGDKR
1801-TQM110NB04CRRLGCT
1801-TQM110NB04CRRLGTR
TQM110NB04CR
1801-TQM110NB04CRTR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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